Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TSM120N06LCR RLG
Product Overview
Κατασκευαστής:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TSM120N06LCR RLG-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 54A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Αποθέμα:
12900028
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TSM120N06LCR RLG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Taiwan Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
54A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
36.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2116 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
69W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PDFN (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
TSM120
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
TSM120N06LCR RLGTR
TSM120N06LCRRLGTR
TSM120N06LCR RLGDKR-DG
TSM120N06LCR RLGTR-DG
TSM120N06LCR RLGCT
TSM120N06LCRRLGCT
TSM120N06LCRRLGDKR
TSM120N06LCR RLGCT-DG
TSM120N06LCR RLGDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TSM70N10CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252
DMN2230UQ-7
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
DMP3004SSS-13
MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2